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J-GLOBAL ID：200903066256118790
化学蒸着装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082626
Publication number (International publication number)：2000277502
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発熱体CVD法を行う化学蒸着装置において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する。【解決手段】 処理容器1内にガス供給系2によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構30により所定の高温に維持された発熱体3の表面で分解及び又は活性化して基板9の表面に薄膜が作成される。発熱体3は、タングステン製の基体301の表面に、不純物金属含有量が0.01重量%以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が0.01重量%以下のタングステンの被覆膜302を形成したものである。発熱体3からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。
Claim (excerpt)：
内部で基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、処理容器内に所定の原料ガスを供給するガス供給系と、供給された原料ガスが表面を通過するように処理容器内に設けられた発熱体と、発熱体が所定の高温に維持されるよう発熱体にエネルギーを与えるエネルギー供給機構と、所定の高温に維持された発熱体の表面での原料ガスの分解及び又は活性化により所定の薄膜が作成される処理容器内の位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えた化学蒸着装置であって、前記発熱体は、不純物金属含有量が0.01重量%以下である高融点金属の被覆膜を基体の表面に形成して成るものであることを特徴とする化学蒸着装置。
IPC (4)：
H01L 21/31
, C23C 16/08
, C23C 16/44
, H01L 21/205
H01L 21/31 B
, C23C 16/08
, C23C 16/44 A
, H01L 21/205
4K030AA04
, 4K030AA17
, 4K030BA20
, 4K030BA40
, 4K030FA10
, 4K030KA24
, 4K030KA46
, 4K030LA11
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045BB14
, 5F045DP03
