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J-GLOBAL ID：200903066259956591

超接合ショットキーダイオード

Inventor：
上野 勝典

About 上野 勝典


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000268460
Publication number (International publication number)：2002076370
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。【解決手段】並列pn層15を構成するpコラム10と、ショットキー電極7との間に実質的に高比抵抗のn高抵抗領域11を介在させる。pコラム10とショットキー電極7との間に、高抵抗のp高抵抗領域13を介在させてもよい。
Claim (excerpt)：
第一と第二の主面を有する第一電導型半導体層と、一方の主面に設けられたショットキー電極と、他方の主面にオーミック接触したカソード電極と、第一と第二の主面間に、第一電導型ドリフト領域と第二電導型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層とを備える超接合ショットキーダイオードにおいて、前記ショットキー電極と第二電導型仕切り領域との間に第一電導型ドリフト領域より実質的に高比抵抗の第一電導型高抵抗領域を有することを特徴とする超接合ショットキーダイオード
IPC (2)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 D
F-Term (11)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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