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J-GLOBAL ID：200903066286055091

多層配線基板及びその製造方法

Inventor： 堀内 道夫 ,  竹内 之治
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350811
Publication number (International publication number)：1998190232
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 導体パターンの更なる高密度化を図ることができ、且つ製造工程を簡略化し得る配線基板及を提案する。【解決手段】 樹脂層14の一面側に導体パターン10が形成された複数枚の樹脂基板12、12・・が積層されて一体化された多層配線基板であって、該樹脂層14を介して積層された導体パターン10、10・・を相互に接続するヴィア18が、樹脂層14の一面側に形成された導体パターン10が底面に露出するように、樹脂層14を貫通して形成された凹部16に、樹脂層14の他面側表面と実質的に同一面となるように、めっきによって金属が充填されて形成され、且つ樹脂層14の他面側に露出するヴィア18の露出面が、他の樹脂基板に形成された導体パターン10に電気的に接続されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁層としての樹脂層の一面側に導体パターンが形成された複数枚の樹脂基板が積層されて一体化された多層配線基板であって、該樹脂層を介して積層された導体パターンを相互に接続するヴィアが、前記樹脂層の一面側に形成された導体パターンが底面に露出するように樹脂層を貫通して形成された凹部に、前記樹脂層の他面側表面と実質的に同一面となるように、めっきによって金属が充填されて形成され、且つ前記樹脂層の他面側に露出するヴィアの露出面が、他の樹脂基板に形成された導体パターンに電気的に接続されていることを特徴とする多層配線基板。

FI (3)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-162589
  
• 薄膜多層回路基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-284705   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-094186