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J-GLOBAL ID：200903066359976638

薄膜構造体の形成方法、及び薄膜構造体の応力調整方法

Inventor： 清水 紀智
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000208106
Publication number (International publication number)：2002026007
Application date： Jul. 10, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 駆動、検出装置等に用いる薄膜構造体において、内部応力を調整した薄膜を低温でかつ密着性良く堆積し、また堆積後内部応力の調整を低温で行うことが可能な薄膜構造体の形成方法及び応力調整方法の提供を目的とする。【解決手段】 シラン、アンモニア、窒素、水素の原料ガスを用い、シラン/アンモニア流量比1以上の条件でかつ、所望の内部応力に応じた水素ガス流量で、プラズマCVD法にて堆積温度400°C以下で成膜することで、内部応力を調整した薄膜を得ることが可能となり、また、形成後に内部応力を、薄膜堆積温度以上400°C以下で調整することが可能となるため、このような薄膜構造体を応用素子として駆動装置や検出装置に用いれば、これら装置の特性を調整可能とすることができ、特性を安定化することができる。

Claim (excerpt)：

原料としてシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)と窒素(N2)とを用い、シラン流量/アンモニア流量比を1以上の条件で混合し、更に水素(H2)を0以上の流量で追加し、プラズマCVD法にて薄膜堆積温度400度以下で成膜を行い、Si/Nの組成比が 1.0以上の組成を有するシリコン窒化膜を薄膜構造体として形成する薄膜構造体の形成方法。

IPC (11)：

H01L 21/318 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/10 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08 ,  H04R 7/02 ,  H04R 31/00

FI (13)：

H01L 21/318 B ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/10 ,  H01L 29/84 B ,  H01L 29/84 Z ,  H04R 7/02 Z ,  H04R 31/00 A ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/08 D

F-Term (45)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055GG01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112BA08 ,  4M112BA10 ,  4M112CA02 ,  4M112CA16 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA07 ,  5D016AA07 ,  5D016BA01 ,  5D016JA07 ,  5D016JA13 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-310174   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ケイ素薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-249103   Applicant：日本電信電話株式会社
• 装置保護膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-021822   Applicant：日本電装株式会社
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-332407   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-057348   Applicant：松下電子工業株式会社
• シリコン窒化膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-138129   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-169388   Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-310174   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ケイ素薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-249103   Applicant：日本電信電話株式会社