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J-GLOBAL ID：200903066368617071

炭化ケイ素焼結体及びその製造方法

Inventor： 高橋 佳智 ,  和田 宏明 ,  宮本 太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 中島 淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041048
Publication number (International publication number)：1998067565
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 特殊な原料を必要とすることなく、高密度性、高純度性、高導電性である高品位、且つ、半導体工業への使用にも適する炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末と、加熱により炭素を生成する有機化合物等の非金属系焼結助剤とを含む混合物を、温度2000〜2400°C、圧力300〜700kgf/cm2 、非酸化性雰囲気下でホットプレスして得られる、密度が2.9g/cm3 以上である炭化ケイ素焼結体。ここで炭化ケイ素原料粉末の粒径が0.01〜10μmであること、非金属系焼結助剤がレゾール型フェノール樹脂であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られた焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上であることを特徴とする炭化ケイ素焼結体。

IPC (3)：

C04B 35/626 ,  C04B 35/573 ,  C04B 35/645

FI (3)：

C04B 35/56 101 Q ,  C04B 35/56 101 U ,  C04B 35/64 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-199065
  
• 半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-306293   Applicant：株式会社ブリヂストン