Pat
J-GLOBAL ID：200903066416488491

半導体パターンの形成方法

Inventor：
南方 尚

About 南方 尚


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002157495
Publication number (International publication number)：2003347400
Application date： May. 30, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基板の表面上の半導体薄膜に極めて簡便に半導体パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 ポリカーボネート樹脂製の樹脂フィルム1上に形成した半導体薄膜2の表面のうち絶縁性に変換させたい領域に、前記樹脂の変性物質3であるN-メチルピロリドンを接触させ、樹脂フィルム1の表面のうち前記領域に相対する部分を変性させた。すると、半導体薄膜2のうち変性部分4に相対する領域は、前記変性の影響により絶縁性領域5に変換され、半導体薄膜2に半導体パターンが形成された。
Claim (excerpt)：
基板の表面上に形成された半導体薄膜の所定領域を絶縁性に変換することにより半導体パターンを形成する方法であって、前記基板の表面の少なくとも一部を樹脂で構成し、溶解,膨潤,及び反応のうち少なくとも一つによって前記樹脂を変性させる変性物質を、前記樹脂で構成された部分のうち所定部分に接触させて、該所定部分を変性させ、前記半導体薄膜のうち前記所定部分に相対する領域を、前記所定部分の変性によって絶縁性領域に変換することを特徴とする半導体パターンの形成方法。
IPC (6)：
H01L 21/762 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/34 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (6)：
H01L 21/34 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 29/28
F-Term (22)：
5F032AA01 ,  5F032AA08 ,  5F032AA12 ,  5F032AA32 ,  5F032AA50 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA06 ,  5F032DA41 ,  5F032DA52 ,  5F032DA78 ,  5F052JA01 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052KA05 ,  5F110AA16 ,  5F110DD01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM