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J-GLOBAL ID：200903066447683616

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
新谷 良智

About 新谷 良智


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005197590
Publication number (International publication number)：2007019160
Application date： Jul. 06, 2005
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：
【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の4H形の炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。【解決手段】 種結晶基板上でSi含有原料ガスとC含有原料ガスを反応させて炭化珪素単結晶を気相成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、前記種結晶が15R形炭化珪素単結晶であり、Si含有原料ガスとC含有原料ガスを1700°C以上の温度において、C/Si比1.0以下で反応させて4H形炭化珪素単結晶を気相成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
種結晶基板上でSi含有原料ガスとC含有原料ガスを反応させて炭化珪素単結晶を気相成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶が15R形炭化珪素単結晶であり、Si含有原料ガスとC含有原料ガスを1700°C以上の温度において、C/Si比1.0以下で反応させて4H形炭化珪素単結晶を気相成長させることを特徴とする、炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 A
F-Term (26)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB05 ,  4G077DB07 ,  4G077EH10 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TJ05 ,  4K030AA03 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC05 ,  5F045AC09 ,  5F045AD18 ,  5F045HA03 ,  5F045HA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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