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J-GLOBAL ID：200903066454070387

半導体装置の製造方法

Inventor： 木城 耕一 ,  ▲吉▼丸 正樹
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997267778
Publication number (International publication number)：1999087629
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 50以上の大きな比誘電率を有するキャパシタ絶縁膜を備えた半導体装置を製造する。【解決手段】 半導体基板上に,下部電極3,キャパシタ絶縁膜4,上部電極5の順に積層してなる半導体装置を製造するにあたり,下部電極3の少なくとも最上層を,白金族の金属,又は白金族の金属の導電性酸化物のいずれかで構成する。キャパシタ絶縁膜4にTa2O5を用い,下部電極3上で熱処理してTa2O5を(001)面や(200)面に配向させて結晶化させる。その結果,50以上の比誘電率を有するキャパシタ絶縁膜4が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に,下部電極,キャパシタ絶縁膜,上部電極を順次積層して半導体装置を製造する方法において,前記下部電極を,少なくとも最上層が白金族の金属,又は白金族の金属の導電性酸化物で構成し,さらに前記下部電極上にTa2O5を堆積させた後,この下部電極上で該Ta2O5を,比誘電率を高める特定結晶面に配向させるように,熱処理によって結晶化してキャパシタ絶縁膜を形成し,その後前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極を積層することを特徴とする,半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-320720   Applicant：株式会社東芝