半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995320720
Publication number (International publication number)：1997102591
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】キャパシタ絶縁膜に金属酸化物を用いた構造において、拡散防止膜を省略することができ、かつキャパシタ電極のシリサイド化を防止し、信頼性の高い高誘電体キャパシタを実現する。【解決手段】シリコン基板1上に、MOSトランジスタとキャパシタからなるDRAMセルを構成した半導体装置において、キャパシタの絶縁膜9は高誘電体のBax Sr1-x TiO3 膜であり、n+ 多結晶シリコン膜7に接触するキャパシタの下部電極8は0.004〜5%の酸素を含むルテニウム膜である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、金属酸化物からなる誘電体膜を用いてキャパシタが形成された半導体装置において、前記キャパシタの少なくとも一方の電極は、微量の酸素を含むルテニウムによって構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

誘電体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149521 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体素子および強誘電体コンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-147041 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205670 Applicant：富士通株式会社

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