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J-GLOBAL ID:200903066541657130

グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田中 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995058732
Publication number (International publication number):1996260150
Application date: Mar. 17, 1995
Publication date: Oct. 08, 1996
Summary:
【要約】【目的】X線光学素子として使用できる高配向性を有するグラファイト結晶層を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】ガラス質ないし結晶質の基体表面に形成されている金属薄膜の上に化学気相堆積法によりグラファイト層を形成することを特徴とするグラファイト層の形成方法である。
Claim (excerpt):
ガラス質ないし結晶質の基体表面に形成されている金属薄膜の上に化学気相堆積法によりグラファイト層を形成することを特徴とするグラファイト層の形成方法。
IPC (5):
C23C 16/26 ,  C01B 31/04 101 ,  C23C 16/02 ,  C30B 28/14 ,  G21K 1/06
FI (5):
C23C 16/26 ,  C01B 31/04 101 Z ,  C23C 16/02 ,  C30B 28/14 ,  G21K 1/06 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭63-004069
  • グラファイト薄膜の形成方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-064946   Applicant:新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正, 松井丈雄

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