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J-GLOBAL ID：200903066545825038

3族窒化物半導体の電極形成方法

Inventor： 柴田 直樹 ,  上村 俊也 ,  浅井 誠 ,  梅崎 潤一 ,  小澤 隆弘 ,  森 朋彦 ,  大脇 健史
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996307156
Publication number (International publication number)：1998135515
Application date： Nov. 02, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【目的】p伝導形3族窒化物半導体に対する電極において、オーミック性の改善、低抵抗化、接合強度の向上を図る。【構成】p+ 層7の表面上に、ニッケル(Ni)層、その上に金(Au)層を形成して、酸素ガスの存在する雰囲気中において熱処理することで、深さ方向の元素の分布を反転させて、表面側からニッケル(Ni)、金(Au)の順に元素が存在するように構成させた。そのことにより、電極はより低抵抗で且つオーミック性が向上し、しかも、接合強度の高いものとなった。

Claim (excerpt)：

p伝導型3族窒化物から成る半導体の電極の形成方法において、前記半導体の表面上にニッケル(Ni)電極層と金(Au)電極層を順次形成し、酸素(O2)存在下で熱処理を行うことを特徴とするp伝導型3族窒化物半導体の電極形成方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体発光素子、半導体発光素子の電極および半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-299072   Applicant：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-039359   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体光電素子に対するZnO膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-130745   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 半導体光電素子に対するITO膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355541   Applicant：大同特殊鋼株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子、半導体発光素子の電極および半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-299072   Applicant：株式会社東芝