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J-GLOBAL ID：200903066581724256

酸化膜及びシリコン層の積層膜のエッチング方法

Inventor： 満生 彰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998126375
Publication number (International publication number)：1999330045
Application date： May. 08, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 酸化膜層とシリコン層の積層膜を残渣無くエッチングすることができる酸化膜及びシリコン層の積層膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成された上層の酸化膜4及び下層のシリコン層3からなる積層膜をエッチングする。先ず、CF系ガスを使用して酸化膜4をエッチングし、この酸化膜4のエッチングで発生したデポジッション6をCl2ガスを使用してエッチング除去する。その後、シリコン層3をエッチングする。

Claim (excerpt)：

上層の酸化膜及び下層のシリコン層からなる積層膜をエッチングする方法において、CF系ガスを使用して前記酸化膜をエッチングする工程と、この酸化膜のエッチングで発生したデポジッションをCl2ガスを使用してエッチング除去する工程と、前記シリコン層をエッチングする工程と、を有することを特徴とする酸化膜及びシリコン層の積層膜のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• パターンエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-311147   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭59-214226
  
• 特開平3-262122