スパッタリング装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997364974
Publication number (International publication number)：1999181565
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】2つのプロセスのスパッタを一つのチャンバーで実現でき、チャンバー数低減による設備費用・設置スペース・保守工数の削減を達成するとともに、ウェハーの有効領域が減るということを回避する半導体基板の成膜装置の提供。【解決手段】静電チャック方式によるウェハーステージ脇にウエハー周辺を開閉自在なウェハーリングを備える。

Claim (excerpt)：

ウェハーステージに載置されたウェハーの周辺部のウェハーリングによる被覆の有無を選択自在とする手段を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (5)：

C23C 14/50 , C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/68

FI (5)：

C23C 14/50 D , C23C 14/34 J , H01L 21/203 S , H01L 21/285 C , H01L 21/68 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

分子線エピタキシャル結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148681 Applicant：三菱電機株式会社

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