光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997332727
Publication number (International publication number)：1999168236
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】光半導体チップ本来の機能を悪化させるようなことなく、光半導体チップの薄型化が図れるようにする。【解決手段】化合物半導体の結晶からなる半導体積層部3を備えた光半導体チップであって、上記半導体積層部3は、その結晶成長に用いられた基板とは異なる代替支持材1に接着されており、かつ上記半導体積層部3から上記基板が除去されている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を備えた光半導体チップであって、上記半導体積層部は、その結晶成長に用いられた基板とは異なる代替支持材に接着されており、かつ上記半導体積層部から上記基板が除去されていることを特徴とする、光半導体チップ。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-174780
特開平4-029374
化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-300144 Applicant：株式会社東芝

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