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J-GLOBAL ID：200903066646119207

半導体装置の製造方法

Inventor：
阿部 一英

About 阿部 一英


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999040220
Publication number (International publication number)：2000243830
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【目的】 銅の化学的機械的研磨におけるエッチングストッパ膜として炭素膜を用いることにより、コンタクト孔の銅配線の埋め込みを高選択比でおこなう。【構成】 絶縁膜上に炭素膜を形成し、パターニングによりコンタクト孔を形成する。コンタクト孔を含む全面に銅を形成し、化学的機械的研磨法により研磨をおこない炭素膜をエッチングストッパとして銅の研磨を終了させ、コンタクト孔のみに銅を残存させ銅の埋め込み配線を形成する。
Claim (excerpt)：
プラグコンタクト孔を有する下地上に絶縁膜を形成する工程と、全面にストッパ膜を形成する工程と、前記ストッパ膜および前記絶縁膜をエッチングし前記プラグコンタクト孔に達するコンタクト孔を形成する工程と、全面に銅を形成し前記コンタクト孔を埋め込む工程と、化学的機械的研磨法により前記銅を研磨し前記ストッパ膜により研磨を終了させる工程と含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (3)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 622 X
F-Term (24)：
5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ73 ,  5F033SS11 ,  5F033XX03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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