半導体装置およびその駆動方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003013272
Publication number (International publication number)：2003288049
Application date： Jan. 22, 2003
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。【解決手段】容量手段108には、リセット用電源線110の電位に、TFT105のしきい値電圧分を加えた、もしくは減じた電位が保持され、TFT106のゲート電極には、映像信号に当該しきい値電圧を上乗せしたものが印加される。画素内のTFTは近接配置されており、特性ばらつきが生じにくい。これにより、TFT106のしきい値が画素ごとにばらついても、TFT105のしきい値で相殺され、所望のドレイン電流をEL素子109に供給することが出来る。

Claim (excerpt)：

整流性素子と、容量手段と、スイッチング素子とを有し、前記整流性素子の第1の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記スイッチング素子の第1の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

G09G 3/30 , G09G 3/20 611 , G09G 3/20 624 , G09G 3/20 641 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (6)：

G09G 3/30 J , G09G 3/20 611 H , G09G 3/20 624 B , G09G 3/20 641 D , H05B 33/14 A , H01L 29/78 614

F-Term (24)：

3K007AB17 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA04 , 5C080AA06 , 5C080BB05 , 5C080DD05 , 5C080FF11 , 5C080JJ02 , 5C080JJ03 , 5C080JJ04 , 5C080JJ06 , 5C080KK07 , 5C080KK43 , 5C080KK47 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110NN72 , 5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

国際公開番号99-48403号パンフレット(P25、Fig3、Fig4)
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290963 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭63-086614

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Cited by examiner (5)

半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290963 Applicant：三菱電機株式会社
トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-069147 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭63-086614

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