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J-GLOBAL ID：200903066679614734

ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法

Inventor： 大村 昌良 ,  関本 康彦
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006081166
Publication number (International publication number)：2007258461
Application date： Mar. 23, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】 切断用トランジスタの寸法の増大を抑制し、ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化の際、副次的に生じ得る、半導体装置にとって好ましくない現象を抑制し、ヒューズ素子の電気的な切断ないしは高抵抗化を信頼性高く行なう方法を提供する。【解決手段】 ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法は、導電性材料で形成されたヒューズ素子に対し、1回で切断ないし高抵抗化はできないが、複数回で切断ないし高抵抗化できるエネルギを持つ電気的パルスを、繰り返し印加して、前記ヒューズ素子を切断ないし高抵抗化する工程を含む。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

導電性材料で形成されたヒューズ素子に対し、1回で溶融破断できるエネルギ未満であり、固相のマイグレーションを生じさせるエネルギを持つ電気的パルスを、繰り返し印加して、前記ヒューズ素子を切断ないし高抵抗化する工程を含む、ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法。

IPC (3)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L21/82 F ,  H01L27/04 V

F-Term (19)：

5F038AV02 ,  5F038AV15 ,  5F038DF05 ,  5F038DF16 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB05 ,  5F064BB12 ,  5F064BB18 ,  5F064BB19 ,  5F064BB20 ,  5F064BB33 ,  5F064CC10 ,  5F064DD48 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF33 ,  5F064FF45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体集積回路のヒューズ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-108911   Applicant：三星電子株式会社