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J-GLOBAL ID：200903066687744949

透明導電膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法

Inventor：
阿部 能之

About 阿部 能之


Applicant, Patent owner：
住友金属鉱山株式会社

About 住友金属鉱山株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060045
Publication number (International publication number)：2002256423
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 本発明のは、赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかもITO係ターゲットで得られる透明導電性薄膜と同等の低抵抗値を有する透明導電性薄膜をスパッタリング法で再現性良く安定に製造でしうるターゲットの提供を課題とする。【解決手段】 インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で0.003〜0.20の割合で存在し、焼結体相対密度が90%以上のものである。そして、好ましくは、酸化インジウムのインジウムサイトにモリブデンが置換固溶しているものである。
Claim (excerpt)：
インジウムとモリブデンと酸素とからなる透明導電膜作成用焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で0.003〜0.20の割合で存在し、焼結体相対密度が90%以上であることを特徴とする透明導電膜作製用焼結体ターゲット。
IPC (5)：
C23C 14/34 ,  C01G 39/00 ,  C04B 35/495 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/203
FI (5)：
C23C 14/34 A ,  C01G 39/00 Z ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 21/203 S ,  C04B 35/00 J
F-Term (27)：
4G030AA23 ,  4G030AA34 ,  4G030BA03 ,  4G030BA15 ,  4G030GA11 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4G048AA03 ,  4G048AB05 ,  4G048AC04 ,  4G048AC06 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD28 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103PP11 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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