半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996212332
Publication number (International publication number)：1997153545
Application date： Aug. 12, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】配線幅、配線間隔縮小に対応可能な次世代の配線形成方法を提供する。【解決手段】基板11上には、ストッパ膜13aと絶縁膜13bが形成される。ストッパ膜13aには、絶縁膜13bに対してRIEによる選択比が大きいものが選択される。絶縁膜13b上には、ストッパ膜14aと絶縁膜14bが形成される。ストッパ膜14aには、コンタクトホール32のパターンが形成されている。レジスト膜35には、配線パターンが形成されている。レジスト膜35及びストッパ膜14aをマスクにしてRIEにより絶縁膜13b,14bをエッチングすると、配線形成のための溝31と、コンタクトプラグ形成のためのコンタクトホール32が自己整合的に同時に形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成される第1ストッパ膜と、前記第1ストッパ膜上に形成される第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成される第2ストッパ膜と、前記第2ストッパ膜上に形成される第2絶縁膜と、前記第2ストッパ膜と前記第2絶縁膜に設けられた溝内、及び前記第1ストッパ膜と前記第1絶縁膜に設けられ、前記溝の底部から前記半導体基板まで達するコンタクトホール内に満たされる導電部材とを具備し、前記コンタクトホールの底面と側面の角部における前記第1ストッパ膜は、前記コンタクトホールの底面または側面と前記第1ストッパ膜の表面とが鈍角に交わるようにテーパ形状を有し、かつ、前記溝の底面と側面の角部における前記第2ストッパ膜は、前記溝の底面または側面と前記第2ストッパ膜の表面とが鈍角に交わるようにテーパ形状を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (3)：

H01L 21/90 A , H01L 21/28 L , H01L 21/90 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073604 Applicant：シャープ株式会社
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-238303 Applicant：三菱電機株式会社
特開平2-111054

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