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J-GLOBAL ID：200903066695554784

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
猪原 正弘

About 猪原 正弘

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松能 正

About 松能 正

, 
柴田 英毅

About 柴田 英毅


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996212332
Publication number (International publication number)：1997153545
Application date： Aug. 12, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：
【要約】【課題】配線幅、配線間隔縮小に対応可能な次世代の配線形成方法を提供する。【解決手段】基板11上には、ストッパ膜13aと絶縁膜13bが形成される。ストッパ膜13aには、絶縁膜13bに対してRIEによる選択比が大きいものが選択される。絶縁膜13b上には、ストッパ膜14aと絶縁膜14bが形成される。ストッパ膜14aには、コンタクトホール32のパターンが形成されている。レジスト膜35には、配線パターンが形成されている。レジスト膜35及びストッパ膜14aをマスクにしてRIEにより絶縁膜13b,14bをエッチングすると、配線形成のための溝31と、コンタクトプラグ形成のためのコンタクトホール32が自己整合的に同時に形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される第1ストッパ膜と、前記第1ストッパ膜上に形成される第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成される第2ストッパ膜と、前記第2ストッパ膜上に形成される第2絶縁膜と、前記第2ストッパ膜と前記第2絶縁膜に設けられた溝内、及び前記第1ストッパ膜と前記第1絶縁膜に設けられ、前記溝の底部から前記半導体基板まで達するコンタクトホール内に満たされる導電部材とを具備し、前記コンタクトホールの底面と側面の角部における前記第1ストッパ膜は、前記コンタクトホールの底面または側面と前記第1ストッパ膜の表面とが鈍角に交わるようにテーパ形状を有し、かつ、前記溝の底面と側面の角部における前記第2ストッパ膜は、前記溝の底面または側面と前記第2ストッパ膜の表面とが鈍角に交わるようにテーパ形状を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (3)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-073604   Applicant：シャープ株式会社
  • 多層配線の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-238303   Applicant：三菱電機株式会社
  • 特開平2-111054
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