Pat

J-GLOBAL ID：200903066697217807

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 佐々 道成 ,  柴田 直樹 ,  小池 正好 ,  真部 勝英
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994197914
Publication number (International publication number)：1996046240
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】発光強度の向上及び発光色の青色化の向上【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、マグネシウム、亜鉛及びシリコンドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N のp伝導型の発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層6が形成されている。p層6と高キャリア濃度n+ 層4とに、それぞれ、接続するニッケルで形成された電極7と電極8とが形成され、それらは、溝9により電気的に絶縁分離されている。層4、5、6のAl、Ga、In、の成分比は各層の格子定数が層3の格子定数に一致するように選択されている。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を用いて、n伝導型を示すn層と、p伝導型を示すp層と、その間に介在する発光層が、狭いバンドギャップの半導体を広いバンドギャップの半導体で挟んだ構造のダブルヘテロ接合で形成された3層構造を有する発光素子において、前記発光層をp伝導型としたことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114542   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭59-228776