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J-GLOBAL ID：200903066757069349

半導体発光素子

Inventor： 板谷 和彦 ,  新田 康一 ,  波多腰 玄一 ,  西川 幸江 ,  菅原 秀人 ,  鈴木 真理子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016932
Publication number (International publication number)：1993218582
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 活性層とクラッド層との間の十分大きなバンドギャップ差を実現することができ、温度特性を改善することで、300°C以上の使用にも十分耐え得る半導体レーザを提供すること。【構成】 n型GaAs基板11上に、n型クラッド層13,活性層14及びp型クラッド層15を順次成長形成したダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、活性層14としてGaAsを用い、クラッド層13,15としてIn0.5 (Ga1-x Alx )0.5 Pを用い、且つクラッド層のAl組成比xをx≧0.3としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のInGaAlPクラッド層と、このクラッド層上に形成されたGaAs,GaAlAs又はInGaAsからなる活性層と、この活性層上に形成された第2導電型のInGaAlPクラッド層とを具備してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161794   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭61-185426
  
• 特開昭61-175011