Pat
J-GLOBAL ID：200903066778248502

高周波デバイス

Inventor：
田中 浩二

About 田中 浩二

, 
中島 規巨

About 中島 規巨


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996303068
Publication number (International publication number)：1998145270
Application date： Nov. 14, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高周波スイッチとフィルタを一体化することにより、小形化、軽量化を図ることができる高周波デバイスを提供する。【解決手段】 高周波デバイス10は、高周波スイッチSW10と、低域通過フィルタであるLCフィルタF11と、帯域通過フィルタであるSAWフィルタF12、F13とで構成される。
Claim (excerpt)：
複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、該多層基板に搭載したダイオード、並びに前記多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなる少なくとも4つのポートを有する高周波スイッチと、前記多層基板に搭載したSAWフィルタとで構成されることを特徴とする高周波デバイス。
IPC (4)：
H04B 7/02 ,  H01P 1/15 ,  H03H 7/46 ,  H04B 1/44
FI (4)：
H04B 7/02 A ,  H01P 1/15 ,  H03H 7/46 A ,  H04B 1/44
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM