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J-GLOBAL ID：200903066796321608

被覆形成用塗布液及び被覆膜及びそれを用いた半導体装置

Inventor：
大倉 嘉之

About 大倉 嘉之


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999351045
Publication number (International publication number)：2001164184
Application date： Dec. 10, 1999
Publication date： Jun. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 低誘電率の層間絶縁膜として用いるシリカ系被覆膜を提供する。【解決手段】 シリカ微粒子と、下記一般式(1)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上の加水分解物との反応物であるポリシロキサンと、分解性樹脂とを含む。XnSi(OR)4-n (1)但し、Xは、水素原子、フッ素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基であり、Rは、水素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、アリール基もしくはビニル基である。nは0から3までの整数である。
Claim (excerpt)：
シリカ微粒子と、下記一般式(1)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上の加水分解生成物であるポリシロキサンと、分解性樹脂とを含む被覆形成用塗布液。XnSi(OR)4-n (1)但し、Xは、水素原子、フッ素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基であり、Rは、水素原子、または炭素数が1から8までのアルキル基、アリール基もしくはビニル基である。nは0から3までの整数である。
IPC (4)：
C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (4)：
C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (27)：
4J038BA022 ,  4J038CB002 ,  4J038CE012 ,  4J038CG142 ,  4J038DB002 ,  4J038DD002 ,  4J038DF002 ,  4J038DH002 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038HA446 ,  4J038JC30 ,  4J038KA20 ,  4J038LA06 ,  4J038MA12 ,  4J038NA13 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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