低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998139723
Publication number (International publication number)：1999323259
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Nov. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】比誘電率が3以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】(i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)酸化分解性樹脂を含有し、かつフェニル基を有するシリカ系微粒子と酸化分解性樹脂との重量比(フェニル基を有するシリカ系微粒子/酸化分解性樹脂)が、0.5〜5の範囲にあることを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。

Claim (excerpt)：

(i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)酸化分解性樹脂を含有し、かつフェニル基を有するシリカ系微粒子と酸化分解性樹脂との重量比(フェニル基を有するシリカ系微粒子/酸化分解性樹脂)が、0.5〜5の範囲にあることを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (6)：

C09D201/00 , C01B 33/12 , C09D 5/25 , C09D 7/12 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (7)：

C09D201/00 , C01B 33/12 C , C09D 5/25 , C09D 7/12 , H01L 21/316 P , H01L 21/316 G , H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299684 Applicant：触媒化成工業株式会社

Cited by examiner (19)

特開平3-065506
低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299684 Applicant：触媒化成工業株式会社
特開平4-325540

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