半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000096444
Publication number (International publication number)：2001284596
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 SOI基板上の完全空乏化MISFETトランジスタにおいて、しきい値ばらつきを最小に保つ構造を提供する。【解決手段】第1導電型の第1半導体層(11)と;第1ゲート絶縁膜(6)と;第1ゲート電極(8)と;第1バックゲート電極(13)を含む第1トランジスタ(FET1)と、前記第1半導体層と同じ導電型及び実質的に同じ厚さの第2半導体層(12)と;前記第1ゲート絶縁膜と実質的に同じ厚さの第2ゲート絶縁膜(6')と;第2ゲート電極(8')と;第2バックゲート電極(14)を含み、前記第1トランジスタのしきい値よりも高いしきい値を有する第2トランジスタ(FET2)を備え、前記第1半導体層の不純物濃度は前記第2半導体層の不純物濃度よりも低く、かつ、前記第1バックゲート電極の電圧は前記第2バックゲート電極の電圧よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられた第1ゲート絶縁膜と、前記第1ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極と、前記第1半導体層下に前記絶縁膜を介して設けられた第1バックゲート電極を含む第1電界効果トランジスタと、前記絶縁膜上に設けられ、前記第1半導体層と同じ導電型及び実質的に同じ厚さの第2半導体層と、前記第2半導体層上に設けられ、前記第1ゲート絶縁膜と実質的に同じ厚さの第2ゲート絶縁膜と、前記第2ゲート絶縁膜上に設けられた第2ゲート電極と、前記第2半導体層下に前記絶縁膜を介して設けられた第2バックゲート電極を含み、前記第1電界効果トランジスタのしきい値よりも高いしきい値を有する第2電界効果トランジスタを備え、前記第1半導体層の不純物濃度は前記第2半導体層の不純物濃度よりも低く、かつ、前記第1バックゲート電極の電圧は前記第2バックゲート電極の電圧よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/08 331

FI (5)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 N , H01L 27/08 102 B , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 622

F-Term (60)：

5F048AA09 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA09 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BB18 , 5F048BD04 , 5F048BG07 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048BH04 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110HK09 , 5F110NN62 , 5F110NN63 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110NN78 , 5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-137236 Applicant：株式会社東芝

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