絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002136916
Publication number (International publication number)：2003059920
Application date： Nov. 11, 1994
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】微細な溝も完全に埋め込み、かつ下地段差を平坦化するのに十分な厚塗りができ、下地パターン全体の均一な平坦性を達成でき、さらに水を含まず誘電率の低い、膜特性に優れた絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造に用いられる絶縁膜形成用塗布液であって、少なくとも一種類の有機置換基と結合したSi原子を含むシロキサン類を含み、かつ、前記シロキサン類の29Si-NMRスペクトルのシグナルの積分値から求められる所定の式で示される含有比率Xが、所定の式を満足する、150°C以上300°C以下の自己流動化温度を有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液、及びこれを用いる半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供することにより前記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造に用いられる絶縁膜形成用塗布液であって、少なくとも一種類の有機置換基と結合したSi原子を含む下記式[1]で表されるシロキサン類を含み、かつ、前記シロキサン類の29Si-NMRスペクトルのシグナルの積分値から求められる下記式[2]で示される含有比率Xが、下記式[2]を満足する、150°C以上300°C以下の自己流動化温度を有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。【化1】上記式[1]において、k、l、m、n:0〜1000の整数を示す。R:飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、フェニル基から選ばれる少なくとも1種の有機置換基を示し、同一であっても異なっていてもよく、フェニル基としては、置換基を有するフェニル基でもよい。酸素原子は、Si、R、Hのいずれかと結合する。【数1】上記式[2]において、A0 :29Si-NMRスペクトルから求められる、Si-C結合をもたないSiに帰属されるSiシグナルの面積、A1 :29Si-NMRスペクトルから求められる、Si-C結合を1本有するSiに帰属されるSiシグナルの面積、A2 :29Si-NMRスペクトルから求められる、Si-C結合を2本有するSiに帰属されるSiシグナルの面積、A3 :29Si-NMRスペクトルから求められる、Si-C結合を3本有するSiに帰属されるSiシグナルの面積を示す。

IPC (4)：

H01L 21/316 , C08G 77/04 , C09D183/04 , H01L 21/312

FI (4)：

H01L 21/316 G , C08G 77/04 , C09D183/04 , H01L 21/312 C

F-Term (24)：

4J035BA01 , 4J035BA06 , 4J035BA11 , 4J035BA16 , 4J035CA01K , 4J035EA01 , 4J035EB10 , 4J035LB01 , 4J038DL031 , 4J038KA06 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 4J038PC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭61-198633
半導体用絶縁膜または平坦化膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282657 Applicant：昭和電工株式会社
特開2049-029153

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