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J-GLOBAL ID：200903066915034035

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 早川 利郎 ,  福永 敏明 ,  和田 貢
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998139623
Publication number (International publication number)：1999330607
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Alを含まない活性層材料の使用による長寿命化の効果がより顕著に得られ、そして、長期信頼性もより高い高出力半導体レーザを得る。【解決手段】 少なくとも量子井戸層および光ガイド層を含む活性領域4が、Alを含まないInxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1、0≦y≦1)からなり、そしてクラッド層3、5がAlGaAsからなる半導体レーザにおいて、光ガイド層4a、4cの厚みを少なくとも一方において0.25μm以上とし、光ガイド層4cの上にある上部AlGaAsクラッド層5を一部、光ガイド層4cとの界面まで選択的に除去する。

Claim (excerpt)：

少なくとも量子井戸層および光ガイド層を含む活性領域が、InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1、0≦y≦1)からなり、クラッド層がAlGaAsからなる半導体レーザにおいて、前記光ガイド層の厚みが少なくとも一方において0.25μm以上とされ、この光ガイド層の上にある上部AlGaAsクラッド層が一部、光ガイド層との界面まで選択的に除去されていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 歪量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-218292   Applicant：日本電気株式会社