高減衰バッキングを備えたIC取り付けセンサを実装する装置及び方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006542101
Publication number (International publication number)：2007513563
Application date： Dec. 01, 2004
Publication date： May. 24, 2007
Summary：

本開示の実施形態によれば、超音波トランスデューサプローブは、減衰バッキング基板、集積回路、及び圧電素子のアレイを含む。集積回路は減衰バッキング基板に結合し、当該集積回路は音波を透過させる。圧電素子のアレイは集積回路に結合し、当該圧電素子のアレイは、音響整合層をアレイの第1表面に配置させる。

Claim (excerpt)：

超音波トランスデューサプローブであって: 減衰バッキング基板; 該減衰バッキング基板に結合した集積回路であり、音波を透過させる集積回路;及び該集積回路に結合した圧電素子のアレイであり;音響整合層を当該アレイの第1表面に配置させた圧電素子のアレイ、を有する、ところの超音波トランスデューサプローブ。

IPC (2)：

H04R 17/00 , A61B 8/00

FI (4)：

H04R17/00 330J , H04R17/00 332A , H04R17/00 330G , A61B8/00

F-Term (19)：

4C601EE01 , 4C601EE09 , 4C601GA03 , 4C601GB04 , 4C601GB06 , 4C601GB20 , 4C601GB21 , 4C601GB22 , 4C601GB26 , 4C601GB30 , 4C601GB41 , 4C601GB45 , 4C601GB47 , 5D019AA26 , 5D019BB19 , 5D019EE02 , 5D019FF04 , 5D019GG01 , 5D019GG06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

二次元音響アレイ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-001787 Applicant：アキューソンコーポレイション
特開昭59-225045
特開平3-274899

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