Pat
J-GLOBAL ID：200903066969546813

空気周囲におけるエキシマレ-ザアニ-ルによるシリコン膜の結晶化中の酸素の混入を制御する方法

Inventor：
トリス ボウトサス

About トリス ボウトサス


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999112757
Publication number (International publication number)：2000138180
Application date： Apr. 20, 1999
Publication date： May. 16, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ELAによりアニールされる多結晶シリコン膜の酸素含有量を低減するための、単純でコスト効率のよい方法を提供する。【解決手段】 フラットパネルディスプレイにおいて使用される基板上にアモルファスシリコン膜を堆積させ、シリコン膜の1つ以上のターゲット領域に対して、エキシマレーザエネルギーへの1回以上の照射を行うことにより、アモルファスシリコン層を多結晶シリコン層に変える工程において、エキシマレーザアニール中に、大気圧である周囲環境をシリコン膜および基板に提供する工程と、各ターゲット領域の照射中にシリコン膜の表面に不活性ガスを向けることにより、ターゲット領域の周囲環境から周囲雰囲気を移動させる工程により、エキシマレーザアニール中に、該シリコン膜の該周囲環境から酸素が低減され、結果として得られた多結晶シリコン層の酸素含有量が、所定レベルよりも低くなる方法。
Claim (excerpt)：
フラットパネルディスプレイにおいて使用される基板上に多結晶シリコン膜を形成する方法であって、a)フラットパネルディスプレイにおいて使用される基板上にアモルファスシリコン膜を堆積させる工程と、b)該シリコン膜の1つ以上のターゲット領域に対して、エキシマレーザエネルギーへの1回以上の露光で照射を行うことにより、該アモルファスシリコンをエキシマレーザアニールして、該アモルファスシリコン層を多結晶シリコン層に変える工程とを包含し、該エキシマレーザアニール工程が、i)該エキシマレーザアニール中に、大気圧である周囲環境を該シリコン膜および該基板に提供する工程と、ii)各ターゲット領域の照射中に該シリコン膜の表面に不活性ガスを向けることにより、該ターゲット領域の該周囲環境から周囲雰囲気を移動させる工程とを包含し、それにより、該エキシマレーザアニール中に、該シリコン膜の該周囲環境から酸素が低減され、結果として得られた多結晶シリコン層の酸素含有量が、所定レベルよりも低くなる、方法。
IPC (3)：
H01L 21/268 ,  B01J 19/12 ,  H01L 21/20
FI (4)：
H01L 21/268 G ,  B01J 19/12 B ,  B01J 19/12 G ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM