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J-GLOBAL ID：200903066986777020

半導体装置

Inventor：
江戸 幸子

About 江戸 幸子


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999098186
Publication number (International publication number)：2000294735
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】高速で作動する半導体装置の入出力端子の容量を容易に管理、調節できる半導体装置を提供する。【解決手段】デバイス外部ピン101は、アルミ配線106によって容量補正用のnチャネルMOSトランジスタ104のゲート端子に接続され、MOSトランジスタ104のドレインおよびソースは互いに接続されるとともに、ボンディングパッド105にアルミ配線107によって接続される。ボンディングパッド105は、半導体集積回路デバイスがCSP等のパッケージに実装された状態で、ボンディングを行うことが可能位置に配置され、MOSトランジスタ104は、半導体集積回路デバイスの他の内部回路を形成するMOSトランジスタと同一の工程で生成されている。
Claim (excerpt)：
外部端子と、前記外部端子に接続された内部回路と、前記外部端子にゲート端子又はドレイン若しくはソース端子が接続されたMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタの前記外部端子に接続されていない端子に所定電圧を印加するための電圧印加手段とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06
FI (2)：
H01L 27/04 E ,  H01L 27/06 102 A
F-Term (23)：
5F038AC20 ,  5F038AV06 ,  5F038AV10 ,  5F038AV11 ,  5F038AV15 ,  5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BG03 ,  5F038BG09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048BF02 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開昭61-187356
  • 可変容量回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168415   Applicant：シチズン時計株式会社
Cited by examiner (2)
  • 特開昭61-187356
  • 可変容量回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168415   Applicant：シチズン時計株式会社

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