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J-GLOBAL ID：200903010467968786

可変容量回路

Inventor： 桜井 保宏 ,  信岡 淳 ,  深山 博行
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168415
Publication number (International publication number)：1999017114
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来の可変容量回路は、可変容量素子の物理的な容量変化の一部しか使用しないため、使用電圧範囲での容量変化率が小さい。【解決手段】 第1の固定容量1とMOS型コンデンサ3と第2の固定容量5とを直列に接続し、MOS型コンデンサ3のゲート電極と対抗電極との両方で容量値を制御することにより、MOS型コンデンサ3の物理的な最大容量変化のほとんどすべてを活用可能とする。

Claim (excerpt)：

第1の固定容量がMOS型コンデンサのゲート電極に接続し第2の固定容量がMOS型コンデンサの対抗電極に接続し、MOS型コンデンサのゲート電極を第1の制御信号入力とし、MOS型コンデンサの対抗電極を第2の制御信号入力とすることを特徴とする可変容量回路。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 半導体集積回路およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-235833   Applicant：株式会社東芝
• 電圧制御型発振回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-281585   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平3-171907
  
• 可変インピーダンス回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-047907   Applicant：株式会社島津製作所
• 半導体集積回路および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-278741   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-338705   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体集積回路およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-235833   Applicant：株式会社東芝
• 電圧制御型発振回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-281585   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平3-171907
  
• 可変インピーダンス回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-047907   Applicant：株式会社島津製作所