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J-GLOBAL ID：200903067000672591

超伝導材

Inventor：
土井 俊哉

About 土井 俊哉

, 
北口 仁

About 北口 仁


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 鹿児島大学

About 国立大学法人 鹿児島大学

, 
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007273062
Publication number (International publication number)：2009104813
Application date： Oct. 19, 2007
Publication date： May. 14, 2009
Summary：
【課題】Tcが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。【解決手段】MgB2からなる超伝導物質層と、MgB2及びNiからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
非酸化物の超伝導物質からなる単層と、前記超伝導物質及び非超伝導物質の混合層とが交互に積層していることを特徴とする超伝導材。
IPC (5)：
H01B 12/06 ,  C01B 35/04 ,  C01G 1/00 ,  B32B 7/02 ,  H01F 6/06
FI (5)：
H01B12/06 ,  C01B35/04 C ,  C01G1/00 S ,  B32B7/02 104 ,  H01F5/08 B
F-Term (31)：
4F100AB09A ,  4F100AB09B ,  4F100AB40A ,  4F100AB40B ,  4F100AR00A ,  4F100AR00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA06 ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100GB66 ,  4F100JG02 ,  4F100JG02A ,  4F100JG02B ,  4F100JG06B ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4G047JA04 ,  4G047JB04 ,  4G047JC16 ,  4G047KE05 ,  4G047KG05 ,  4G047KG07 ,  4G047LA06 ,  5G321AA98 ,  5G321BA03 ,  5G321CA05 ,  5G321CA13 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DB40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平3-263714号公報
Cited by examiner (8)
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