Pat
J-GLOBAL ID：200903067046923467

光半導体装置の製造方法および光半導体装置

Inventor：
森田 好次

About 森田 好次

, 
加藤 智子

About 加藤 智子


Applicant, Patent owner：
東レ・ダウコーニング株式会社

About 東レ・ダウコーニング株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004276078
Publication number (International publication number)：2006093354
Application date： Sep. 22, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：
【課題】 発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造する方法を提供し、また、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を提供する。【解決手段】 光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置の製造方法、および前記の方法により製造された光半導体装置。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/56
FI (2)：
H01L33/00 N ,  H01L21/56 J
F-Term (7)：
5F041AA43 ,  5F041DA43 ,  5F041DA59 ,  5F061AA01 ,  5F061CA00 ,  5F061CA21 ,  5F061FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM