半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998185302
Publication number (International publication number)：1999243195
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】素子の微細化を可能とするとともに、ゲート電極の抵抗を下げ、ゲート電極による段差を緩和した半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板と、この半導体基板に形成された溝の底面および側面に形成されたゲート絶縁膜と、前記底面および側面にゲート絶縁膜が形成された溝内に下部が埋め込まれ、上部が前記半導体基板の表面から突出するゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように、前記半導体基板の表面領域に形成されたソース領域およびドレイン領域とを具備し、前記半導体基板の表面から突出するゲート電極の上部の厚さは、前記溝に埋め込まれた前記ゲート電極の下部の厚さの2倍以上であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板に形成された溝の底面および側面に形成されたゲート絶縁膜と、前記底面および側面にゲート絶縁膜が形成された溝内に下部が埋め込まれ、上部が前記半導体基板の表面から突出するゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように、前記半導体基板の表面領域に形成されたソース領域およびドレイン領域とを具備し、前記半導体基板の表面から突出するゲート電極の上部の厚さは、前記溝に埋め込まれた前記ゲート電極の下部の厚さの2倍以上であることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-038489 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-253471 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
電界効果型トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-330777 Applicant：日本電気株式会社

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