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J-GLOBAL ID：200903067087128612

大気圧プラズマ処理装置及び処理方法

Inventor： 西川 和宏 ,  古川 和彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (2)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004201335
Publication number (International publication number)：2006024442
Application date： Jul. 08, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【課題】 本発明は、処理する基板に与えるダメージを抑制し、高速な処理を可能とする大気圧プラズマ処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明において、コイル2に高周波電力を供給することで直接形成される磁場の向き(磁力線の向き)は、平板状絶縁体1a又は基板8の表面に対して略垂直な法線方向を向くため、反応容器1内に形成される誘導電場の向きは基板8の表面に対して、略平行な方向となる。このため、反応容器1内において、反応容器1内で微小な火花放電が発生した場合においても、火花放電の発生がアーク放電の発生などに直結して基板8にダメージを与えることが、抑制される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

その内部に搬送された基板の処理を施す反応処理容器を備え、略1気圧の圧力下で生成及び維持される第1のプラズマに前記基板を曝露することによって前記基板の処理を施す大気圧プラズマ処理装置において、 高周波電力が印加されて、前記第1のプラズマを生成及び維持するための高周波磁場を発生する高周波磁場発生部を備え、 当該高周波磁場発生部に形成される前記高周波磁場の磁束密度の方向が、前記基板の表面と略垂直であることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/24 ,  H01L 21/304 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/306

FI (5)：

H05H1/24 ,  H01L21/304 645C ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 R ,  H01L21/302 101E

F-Term (15)：

4K030FA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA04 ,  5F004CA05 ,  5F004CA07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特許第2537304号公報
  
• 研磨装置及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-199863   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特許第3014111号公報