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J-GLOBAL ID：200903067087952188

半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置

Inventor： 佐藤 道夫 ,  宮 博信 ,  本郷 章彦 ,  二階堂 和巳 ,  久島 義一
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993133277
Publication number (International publication number)：1994349761
Application date： Jun. 03, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 全ての半導体基板を均一に加工処理する半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置を提供する。【構成】 一端にガス導入口1Aを有し、他端を閉塞したノズル管1Bに設けられる多数のガス供給孔2を,一端のガス導入口1A側より他端に行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供給孔とすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一端にガス導入口(1A)を有し、他端を閉塞したノズル管(1B)に、多数のガス供給孔(2)を有する半導体製造装置用ガスノズルにおいて、多数のガス供給孔(2)を,一端のガス導入口(1A)側より他端へ行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔とすることを特徴とする半導体製造装置用ガス供給ノズル。

IPC (2)：

H01L 21/223 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-001116
  
• 半導体製造装置における不純物拡散炉
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203293   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平2-001116