半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002343422
Publication number (International publication number)：2004179369
Application date： Nov. 27, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】窒化物系LEDデバイスにおいて、短波長化を図るとともに上部電極をn型電極とする。【解決手段】LEDデバイスは、基板10上に順次n型窒化物系半導体層12、14、発光層16、p型窒化物系半導体層18を積層して構成される。p型窒化物系半導体層18表面に金属材料等からなる低抵抗領域24を形成し、その上にn型窒化物系半導体層26を形成する。電極20はn型窒化物系半導体層26上に形成する。n型窒化物系半導体層26上に電極20を形成することでオーミックコンタクトを確保し、低抵抗領域24を介在させることでpn接合をショートさせ、動作電圧の上昇を抑制する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

p型半導体とn型半導体を接合してなる半導体装置であって、前記p型半導体とn型半導体の界面に、前記p型半導体及びn型半導体よりも抵抗値の小さい低抵抗領域を離散的に形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L33/00 , C23C14/06 , C23C16/18

FI (4)：

H01L33/00 C , C23C14/06 N , C23C14/06 P , C23C16/18

F-Term (25)：

4K029BA02 , 4K029BA32 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD00 , 4K029BD01 , 4K029BD02 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030LA11 , 4K030LA12 , 5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA41 , 5F041CA02 , 5F041CA08 , 5F041CA10 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA77 , 5F041CA83 , 5F041CB02

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Lateral current spreading in GaN-based light-emitting diodes utilizing tunnel contact junctions

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