Pat

J-GLOBAL ID：200903067138103342

頂点塩素を持つ酸化物超電導体およびその製造方法

Inventor： 秋光 純 ,  久保田 伸彦 ,  綾部 統夫
Applicant, Patent owner： 秋光 純 ,  石川島播磨重工業株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995025699
Publication number (International publication number)：1996217439
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本願発明の目的は、高い超電導転移温度(Tc)を有し、かつピラミッド構造の頂点にO原子ではなく、Cl原子をもつ酸化物超電導体を提供することにある。【構成】 本願発明は、Ca,Na,Cu,Cl及びOを具備してなり、ペロブスカイト結晶構造を有する酸化物であって、(Ca,Na)3Cu2O4Cl2なる化学式で表され、ペロブスカイト結晶構造内に、O原子とCl原子がピラミッド型に配置され、前記O原子とCl原子が構成するピラミッドの頂点にCl原子が配置されてなる構造を有するものである。

Claim (excerpt)：

Ca,Na,Cu,Cl及びOを具備してなり、ペロブスカイト結晶構造を有する酸化物であって、(Ca,Na)3Cu2O4Cl2なる化学式で表され、ペロブスカイト結晶構造内に、O原子とCl原子がピラミッド型に配置され、前記O原子とCl原子が構成するピラミッドの頂点にCl原子が配置されてなる構造を有する頂点塩素を持つ酸化物超電導体。

IPC (4)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (4)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-130015
  
• 酸化物超電導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-008382   Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 松下電器産業株式会社
• 特開平4-130015