Pat

J-GLOBAL ID：200903067177671560

半導体光導波路およびその作製方法

Inventor： 岡本 稔 ,  深野 秀樹 ,  東盛 裕一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217986
Publication number (International publication number)：1997061652
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 レンズ系を用いずに結合効率を向上させることができる半導体光導波路およびその作製方法を提供すること。【解決手段】 テーパ光導波路1がバットジョイント部2を介してMQW活性層3と接合している。光導波路1は層厚とバンドギャップ波長を連続的に変化させた光導波路である。MQW活性層3は歪み超格子活性層である。この光導波路1はスポットサイズ変換領域4を構成し、MQW活性層3は活性領域5を構成している。6はクラッド、キャップ、電極等の素子化に必要な構造部分の全体を示す。この活性領域5で発生された光がバットジョイント部2でこれに接合しているスポットサイズ変換領域4に伝搬され、この領域でスポットサイズが変換されて光出射端1aから他の光素子や光ファイバへ出射される。このテーパ光導波路の作製にはテーパ状選択マスクを使用する。

Claim (excerpt)：

選択成長による半導体光導波路の作製方法において、選択マスクをテーパ状に成形することにより、光導波路のコア層の厚さを指数関数的に連続的に変化させ、最大3倍以上の膜厚比を有する半導体層を形成することを特徴とする半導体光導波路の作製方法。

IPC (4)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/18

FI (4)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-162980   Applicant：日本電信電話株式会社
• 光半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-049723   Applicant：富士通株式会社