高臨界電流超伝導テープ用構造物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：朝日奈宗太 , 佐木啓二 , 秋山文男 , 田中弘
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002503883
Publication number (International publication number)：2004501493
Application date： Jun. 20, 2001
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

超伝導薄膜構造物の臨界電流容量の改良、および、その超伝導薄膜構造物の使用方法。超伝導薄膜構造物は、たとえば、各々のYBCO層が、CeO2などの絶縁性材料層、酸化ストロンチウムルテニウムなどの導電性材料層、またはSmBCOなどの第二の超伝導体材料によって隔離された多層YBCO構造物からなる。

Claim (excerpt)：

基材と、前記基材上の希土類元素-バリウム-銅酸化物超伝導体の薄膜とからなり、前記薄膜は、厚さ約0.2ミクロン〜約2ミクロンの希土類元素-バリウム-銅酸化物超伝導体からなる第一の層と、酸化セリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウムおよびイットリア安定化ジルコニアよりなる群から選ばれる絶縁性材料層または酸化ランタンストロンチウムコバルトおよび酸化ストロンチウムルテニウムよりなる群から選ばれる導電性材料からなる層と、厚さ約0.2ミクロン〜約2ミクロンの希土類元素-バリウム-銅酸化物超伝導体からなる第二の層とよりなる複合多層構造物からなるものであり、希土類元素-バリウム-銅酸化物超伝導体層の厚さの合計が2ミクロン以上であり、かつ該複合多層構造物と同じ希土類元素を含む厚さ2ミクロン以上の希土類元素-バリウム-銅酸化物超伝導体の単層の臨界電流よりも、大きな臨界電流を有することを特徴とする超伝導構造物。

IPC (3)：

H01B12/06 , C23C14/08 , H01L39/02

FI (4)：

H01B12/06 , C23C14/08 L , C23C14/08 N , H01L39/02 D

F-Term (19)：

4K029AA02 , 4K029AA04 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BC04 , 4K029CA01 , 4K029CA09 , 4K029DB20 , 4K029EA01 , 4M114AA29 , 4M114DB62 , 5G321AA04 , 5G321AA07 , 5G321BA01 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA28 , 5G321CA50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭64-028844
特開昭64-003917
特開平1-106481

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