多結晶薄膜の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法および多結晶薄膜の製造装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997291404
Publication number (International publication number)：1998231122
Application date： Oct. 23, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のc軸を配向させることができると同時に、成膜面と平行な面に沿って結晶粒の結晶軸のa軸およびb軸をも揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供すること、および、結晶配向性に優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ターゲット36から発生させた粒子を基材A上に堆積させ、基材上にターゲット36の構成元素からなる多結晶薄膜Bを形成する方法において、ターゲット36の構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオンソース39が発生させたイオンビームを基材Aの成膜面の法線Hに対して50〜60度の範囲の入射角度で斜め方向から照射しながら前記粒子を基材上に堆積させて成膜するとともに、成膜時の温度を300°C以下とすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ターゲットから発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上にターゲットの構成元素からなる多結晶薄膜を形成する方法において、ターゲットの構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオンソースが発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して50〜60度の範囲の入射角度で斜め方向から照射しながら前記粒子を基材上に堆積させて成膜するとともに、成膜時の温度を300°C以下とすることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 , C30B 29/22 501 , H01B 12/06 ZAA , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA

FI (6)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 S , C30B 29/22 501 E , H01B 12/06 ZAA , H01B 13/00 565 D , H01L 39/24 ZAA B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-249585 Applicant：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-189500 Applicant：三菱電機株式会社
酸化物超電導導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-184960 Applicant：超電導発電関連機器・材料技術研究組合

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