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J-GLOBAL ID：200903067211989737

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 大場 竜二 ,  加藤 理一 ,  棚本 哲史 ,  杉山 直治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997061304
Publication number (International publication number)：1998256403
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、室温動作が可能な単一電子素子とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上に形成された少なくとも1対の電極13、14と、前記1対の電極間に形成された溝15と、前記溝の両側面に内接され、前記溝の両側面との間に2つのトンネル接合を形成し、電子1個を保持できる導電性微粒子16とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された少なくとも1対の電極と、前記1対の電極間に形成された溝と、前記溝の両側面に内接され、前記溝の両側面との間に2つのトンネル接合を形成し、電子1個を保持できる導電性微粒子と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 301 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-311426   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭49-052581
  
• 特開昭48-027687