半導体記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：薄田利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994311426
Publication number (International publication number)：1996167662
Application date： Dec. 15, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】トラップに対して安定した動作が可能で、記憶保持特性がすぐれ、かつ、蓄積キャリア数を高精度で制御できる半導体記憶装置を提供する。【構成】複数の微小な半導体粒子よってキャリア閉じ込め領域を構成して、上記半導体粒子にそれぞれキャリアを捕獲するとともに、キャリア閉じ込め領域とチャネルを互いに独立してに形成する。【効果】蓄積キャリア数を高精度に制御でき、トラップに対して安定したメモリ動作が可能で、長い記憶保持時間が得られる。

Claim (excerpt)：

第1導電型を有し、所定の間隔を介して互いに離間して形成されたソース領域およびドレイン領域と、当該ソース領域とドレイン領域の間に介在するチャネル領域と、当該チャネル領域の上部若しくは下部に絶縁膜を介して形成された、ポテンシャルバリアによってそれぞれ包囲された複数の半導体若しくは金属の粒子からなるキャリア閉じ込め領域と、当該キャリア閉じ込め領域の上部若しくは下部にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を具備し、上記複数の半導体若しくは金蔵の粒子にそれぞれキャリアを保持させることによって情報の記憶を行なうことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-228315
特開平3-228315
電荷トラツプ膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313313 Applicant：ローム株式会社

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