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J-GLOBAL ID：200903067224072476

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法

Inventor： 金 榮 寛 ,  李 相 忍 ,  朴 昌 洙 ,  李 相 ▲みん▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999034413
Publication number (International publication number)：2000054134
Application date： Feb. 12, 1999
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】原子層蒸着法で膜密度が高くて、優秀な化学量論的な薄膜を得ることができる薄膜製造方法。【解決手段】基板がローディングされたチャンバに第1反応物を注入して基板上に第1反応物を化学吸着させ、チャンバをパージしたりポンピングして(Pして)、化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除き、チャンバに再び第1反応物を注入して基板上に第1反応物を稠密するように化学吸着させ、Pして稠密するように化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除き、チャンバに第2反応物を注入して基板の表面に化学吸着させ、Pして稠密するように化学吸着された第1反応物及び第2反応物上に物理吸着された第2反応物を取り除き、チャンバに再び第2反応物を注入して基板上に第2反応物を稠密するように吸着させて化学置換によって原子単位厚さに固体薄膜を形成する方法。

Claim (excerpt)：

(A)基板がローディングされたチャンバに第1反応物を注入して前記基板上に前記第1反応物を化学吸着させる段階と、(B)前記化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除く段階と、(C)前記チャンバに再び前記第1反応物を注入して前記基板上に稠密するように化学吸着させる段階と、(D)前記稠密するように化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除く段階と、(E)前記チャンバに第2反応物を注入して前記基板の表面に化学吸着させる段階と、(F)前記稠密するように化学吸着された第1反応物と第2反応物上に物理吸着された第2反応物を取り除く段階と、(G)前記チャンバに再び前記第2反応物を注入して前記基板上に前記第2反応物を稠密するように吸着させて化学置換によって固体薄膜を形成することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/316

FI (2)：

C23C 16/44 A ,  H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体デバイスの金属層形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-174587   Applicant：三星電子株式会社
• 薄膜の製造方法およびその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-181857   Applicant：理化学研究所
• 縦型超格子の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-168864   Applicant：理化学研究所