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J-GLOBAL ID：200903067247727186

半導体装置製造方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂間 光範 ,  深田 武
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337864
Publication number (International publication number)：1997153462
Application date： Dec. 01, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な表面を得ることを目的とする。【構成】水素ラジカルや水素イオンなどの活性な水素、酸素ラジカルや酸素イオンやオゾンなどの活性な酸素などをECRを用いて形成し、それによって基板上の被積層形成面上の炭素の一重結合を含む汚染物をガス化し減少させる。

Claim (excerpt)：

被膜形成を行う半導体装置製造方法において、積層形成を行う前に、減圧状態でマイクロ波と磁場で活性化された水素によって、被積層形成面上の少なくともその一部において炭素の一重結合を含む汚染物を減少させ、その後前記被積層形成面上に前記積層形成を行うことを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/02

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H05H 1/46 C ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-324281   Applicant：三菱電機株式会社
• 薄膜半導体素子の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-273051   Applicant：ソニー株式会社