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J-GLOBAL ID：200903067338199166

半導体リレーの制御回路

Inventor： 水内 賢二 ,  虎澤 裕康
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995304623
Publication number (International publication number)：1997148906
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発光ダイオードの入力電流への依存を抑え、ターンオン時間を規定することができる半導体リレーの制御回路を提供する。【解決手段】 発光素子及びこの発光素子からの光を受けて動作する光起電力素子と、この光起電力素子の電力により動作する出力用MOSFETから構成される半導体リレーの制御回路において、受光ダイオードアレイ4と直列に接続された電流検出用抵抗13と、この電流検出用抵抗13の両端の電圧降下によりバイアスされ、前記受光ダイオードアレイ4の両端のインピーダンスを小さくするように、前記受光ダイオードアレイ4と並列に接続されたNPNトランジスタ12とを設ける。

Claim (excerpt)：

発光素子及び該発光素子からの光を受けて動作する光起電力素子と、該光起電力素子の電力により動作する出力用MOS電界効果型トランジスタから構成される半導体リレーの制御回路において、(a)前記光起電力素子と直列に接続された電流検出用抵抗と、(b)該電流検出用抵抗の両端の電圧降下によりバイアスされ、前記光起電力素子の両端のインピーダンスを小さくするように、前記光起電力素子と並列に接続されるスイッチング素子とを具備することを特徴とする半導体リレーの制御回路。

IPC (2)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H03K 17/78 J ,  H01L 31/10 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光結合型半導体リレー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-242644   Applicant：松下電工株式会社