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J-GLOBAL ID：200903067421336515

半導体積層構造

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997332546
Publication number (International publication number)：1998135516
Application date： May. 07, 1993
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNを有する半導体積層構造を提供する。【構成】 サファイア基板上に、次に成長させる窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層よりも低温で成長させるバッファ層と、バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層と、その窒化ガリウム層又は窒化ガリウムアルミニウム層よりも低温で成長させた窒化インジウムガリウム半導体とが積層されてなる、青色発光デバイスに使用される半導体積層構造。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に、次に成長させる窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層よりも低温で成長させるバッファ層と、バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層と、その窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層よりも低温で成長させた窒化インジウムガリウム半導体とが積層されてなる、青色発光デバイスに使用される半導体積層構造。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-106555   Applicant：日亜化学工業株式会社