Pat
J-GLOBAL ID:200903067456363230
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001124021
Publication number (International publication number):2002012623
Application date: Apr. 23, 2001
Publication date: Jan. 15, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【解決手段】 式(1)の繰り返し単位を含む高分子化合物。(Aは炭素数2〜20の脂肪族又は脂環式の2価の炭化水素基、R1はフッ素原子を含むアルキル基であり、酸素、窒素、硫黄などのヘテロ原子を含んでエーテル、エステル、カーボネート、アルコール、アセトキシ又はチオエステルを形成していてもよく、aは1〜3の正数。Rは単結合、メチレン基、酸素原子、NH基又は硫黄原子、R2、R3は単結合又はメチレン基。)【効果】 高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、Aは炭素数2〜20の脂肪族又は脂環式の2価の炭化水素基、R1はフッ素原子を少なくとも1つ以上含むアルキル基であり、該アルキル基は、酸素、窒素、硫黄などのヘテロ原子を含んでエーテル、エステル、カーボネート、アルコール、アセトキシ又はチオエステルを形成していてもよく、aは1〜3の正数である。Rは単結合、メチレン基、酸素原子、NH基又は硫黄原子、R2、R3は単結合又はメチレン基である。)
IPC (7):
C08F 32/00
, C08G 61/00
, C08L 45/00
, C08L 65/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (7):
C08F 32/00
, C08G 61/00
, C08L 45/00
, C08L 65/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
F-Term (118):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J002BK001
, 4J002CE001
, 4J002DF007
, 4J002EB116
, 4J002ED058
, 4J002EH118
, 4J002EH148
, 4J002EJ018
, 4J002EJ038
, 4J002EJ048
, 4J002EJ058
, 4J002EJ068
, 4J002EL068
, 4J002EN027
, 4J002EN037
, 4J002EN047
, 4J002EN067
, 4J002EN077
, 4J002EN117
, 4J002EN127
, 4J002ES007
, 4J002EU027
, 4J002EU037
, 4J002EU047
, 4J002EU057
, 4J002EU077
, 4J002EU107
, 4J002EU117
, 4J002EU127
, 4J002EU137
, 4J002EU147
, 4J002EU217
, 4J002EU227
, 4J002EU237
, 4J002EV216
, 4J002EV236
, 4J002EV237
, 4J002EV246
, 4J002EV256
, 4J002EV296
, 4J002EV327
, 4J002FD206
, 4J002FD310
, 4J002GH00
, 4J002GP03
, 4J002HA05
, 4J032BA02
, 4J032BA07
, 4J032BA08
, 4J032BA12
, 4J032BB01
, 4J032BB06
, 4J032BB09
, 4J032BC03
, 4J032CA43
, 4J032CA68
, 4J032CB01
, 4J032CB03
, 4J032CB12
, 4J032CC03
, 4J032CD01
, 4J032CG06
, 4J100AB07Q
, 4J100AE09Q
, 4J100AE26Q
, 4J100AE38Q
, 4J100AL08Q
, 4J100AL16Q
, 4J100AL26Q
, 4J100AL39Q
, 4J100AL46Q
, 4J100AL51Q
, 4J100AM47Q
, 4J100AR03P
, 4J100AR04P
, 4J100AR09P
, 4J100AR09Q
, 4J100AR11Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA04P
, 4J100BA04Q
, 4J100BA05Q
, 4J100BA06Q
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA20Q
, 4J100BA28Q
, 4J100BA29Q
, 4J100BA30Q
, 4J100BA31Q
, 4J100BA51Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04Q
, 4J100BC07Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC23Q
, 4J100BC53Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-018290
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-352621
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
特開昭63-210114
-
レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-117209
Applicant:旭硝子株式会社
Show all
Return to Previous Page