半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004201077
Publication number (International publication number)：2006024718
Application date： Jul. 07, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【課題】STIを備えた半導体装置において、トランジスタ特性の劣化を招かない構成を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、主面を複数の素子領域A1〜A3に区分する分離領域に形成されたトレンチ分離構造を有するSi基板1を備え、素子領域A2、A3にはエピタキシャル層が選択的に成長させられている。この半導体装置は、素子領域A1に形成されたチャネル領域を有する第1のNチャネル型MOSトランジスタと、エピタキシャル層に形成されたチャネル領域を有する第2のNチャネル型MOSトランジスタおよびPチャネル型MOSトランジスタとを備えている。第2のNチャネル型MOSトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、第1のNチャネル型MOSトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域A1のチャネル長方向サイズよりも小さい。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

主面を有する半導体層を備え、前記主面を複数の素子領域に区分する分離領域に形成されたトレンチ分離構造を有する基板と、前記半導体層の主面における前記複数の素子領域の少なくとも1つの素子領域上に選択的に成長したエピタキシャル層と、を備えた半導体装置であって、前記半導体層の主面における前記複数の素子領域のいずれかに形成されたチャネル領域を有する第1のNチャネル型MOSトランジスタと、前記エピタキシャル層に形成されたチャネル領域を有する第2のNチャネル型MOSトランジスタと、前記半導体層の主面における前記複数の素子領域のいずれか、または前記エピタキシャル層に形成されたチャネル領域を有するPチャネル型MOSトランジスタと、を備え、前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域のチャネル長方向サイズよりも小さい、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 21/76 , H01L 27/092

FI (4)：

H01L27/08 102B , H01L27/08 331A , H01L21/76 L , H01L27/08 321C

F-Term (43)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032AA82 , 5F032BA06 , 5F032BB06 , 5F032CA03 , 5F032CA09 , 5F032CA17 , 5F032DA04 , 5F032DA16 , 5F032DA23 , 5F032DA33 , 5F032DA78 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA03 , 5F048BA05 , 5F048BA06 , 5F048BA07 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD09 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF03 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-251116 Applicant：株式会社東芝

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