Pat
J-GLOBAL ID：200903075003968133

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
親松 尚人

About 親松 尚人


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998251116
Publication number (International publication number)：2000082808
Application date： Sep. 04, 1998
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】STI構造を有するnチャネル型MOSFETのキンク特性を低減し、リーク電流を低減することを目的としている。【解決手段】STI構造の埋め込み酸化膜34とSi基板31との界面近傍のSi基板31中に、窒素(N)のイオン注入によって形成され、MOSFETの基板不純物がSTI領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン(SiN)領域40を介在させたことを特徴としている。この窒化シリコン領域40は、Si基板31の主表面からSTI端におけるMOSFETのしきい値電圧を決める基板深さより深い領域まで分布する。MOSFETの基板領域からSTI構造の埋め込み酸化膜34中へのボロンの外方拡散が抑制され、MOSFETの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。これによって、リーク電流を低減できる。
Claim (excerpt)：
STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域を有する半導体装置において、STI界面に隣接するMISFETのSi基板中に、窒素(N)のイオン注入によって形成された窒化シリコン(SiN)からなるバリア領域を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/76
FI (2)：
H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 L
F-Term (16)：
5F032AA16 ,  5F032AA34 ,  5F032AA66 ,  5F032AA69 ,  5F032CA17 ,  5F032DA25 ,  5F032DA43 ,  5F032DA44 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FC13 ,  5F040FC14 ,  5F040FC15 ,  5F040FC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM